Ana səhifə »  Elm »  ÜMUMBƏŞƏRİ ƏHƏMİYYƏTLİ YENİ AZƏRBAYCAN ELMİ
A+   Yenilə  A-
ÜMUMBƏŞƏRİ ƏHƏMİYYƏTLİ YENİ AZƏRBAYCAN ELMİ
Ümummilli liderimiz Heydər Əliyevin memarı olduğu müstəqil respublikamızda möhtərəm Prezidentimiz İlham Əliyevin mütərəqqi daxili və xarici siyasəti və məqsədyönlü fəaliyyəti sayəsində böyük nailiyyətlər əldə edilir. Ölkəmizin sosial-iqtisadi, ictimai-siyasi, humanitar, hərbi və digər sahələrlə yanaşı, elm və təhsil sahələrində də əldə edilən böyük uğurlar cəmiyyətdə iftixarla qarşılanır, elmi-pedaqoji ictimaiyyətdə fədakarlıq hissi oyadır.
Dövlətimizin həyata keçirdiyi islahatlar, çoxsaylı proqramlar və layihələr nəticəsində təhsil sistemimizdə müasir tələblərə uyğun maddi-texniki baza yaradılmış, orta və ali məktəblər üçün elm və texnikanın son nailiyyətləri və milli-mənəvi dəyərlərimiz əks olunan dərsliklər və dərs vəsaitləri yazılmış, müasir informasiya - kommunikasiya texnologiyaları tədris proseslərinə daxil edilmiş və çoxfunksiyalı elektron qurğularla, mütərəqqi proqramlar və metodikalarla, yüksək ixtisaslı kadrlarla təchiz olunmuş Dövlət Tələbə Qəbulu Komissiyası kimi müasir Dövlət Elektron Mərkəzi yaradılmış, ali təhsil sistemimiz bakalavriant-magistratura ikisəviyyəli dünyəvi təhsil sisteminə keçmiş, beynəlxalq Boloniya bəyannaməsinə qoşulmuş və bu kimi çoxsaylı mühüm işlər görülmüşdür. Ölkəmizdə mövcud elm və təhsil prosesini professionallıqla təhlil edərək, mübaliğəsiz demək olar ki, təhsil sistemimizin müasir dünyəvi təhsil sistemi kimi fəaliyyət göstərməsi üçun artıq, zəruri təminat yaranmışdır.
Ölkəmizdə elmi-pedaqoji fəaliyyət üçün yaradılmış münbit şəraitdə təhsil sisteminin hərəkətverici qüvvəsi olan, elm sahəsində də samballı uğurlar qazanılmışdır. O cümlədən, müasir elektron texnikasının istinasız olaraq bütün cihaz və qurğularında, qismən mikroelektronikada və nanotexnologiyada, diskret yarımkeçirici cihazlar və inteqral sxem komponentləri kimi geniş istifadə olunan və fiziki xassələri beynəlxalq miqyasda yarım əsrdən çoxdur ki, geniş tədqiq edilən metal-yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elektrik sahəsinin yaranma hadisəsi kəşf edilmişdir. Azərbaycanın inkişaf tarixində ilk olan və indiyə qədər elmə məlum olmayan bu yeni fiziki hadisə beynəlxalq aləmdə elmi-texniki tərəqqinin yeni mərhələyə keçməsinə elmi əsas yaratmış və ölkəmizi, elmi kəşflərilə yüksək reytinq qazanmış qüdrətli dövlətlər sırasına çıxarmışdır.
Haqqında bəhs etdiyimiz yeni fiziki hadisə Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsində, məqalə müəllifinin elmi rəhbərliyilə uzun illərdən bəri yerinə yetirilən real (kontakt səthi məhdud olan) metal-yarımkeçirici kontakt hadisələrinin elmi-tədqiqat işi nəticəsində aşkar edilmişdir. Belə ki, həyata keçirilən əhatəli və dərin nəzəri araşdırmalar və fundamental eksperimental ölçmələrlə müəyyən edilmişdir ki, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda, onların hazırlanma texnologiyasından və kontakt materiallarının təbiətindən asılı olmayaraq, kontakt səthinin məhdudluğu hesabına əlavə elektrik sahəsi yaranır. Bu elektrik sahəsi, məşhur alman alimi Şottki tərəfindən ideal (kontakt səthi qeyri-məhdud olan) metal-yarımkeçirici kontaktlar üçün müəyyən edilmiş əsas elektrik sahəsi tərtibində olur və kontaktın funksional imkanlarının reallaşmasında fəal rol oynayır. Bu yeni fiziki hadisə haqqında “Metal - yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elekrik sahəsinin yaranması” adlı məqalə 1999-cu ildə Azərbaycan Respublikası Müəlliflik Hüququ Agentliyində qeydə alınmışdır (Müəlliflik Şəhadətnaməsi, Bakı, 1999, №05, 10 s.). Bununla belə, 2001-ci ildə əlavə elektrik sahəli metal-yarımkeçirici kontakt əsasında əks cərəyanı olmayan yarımkeçirici diod ixtira edilmiş və ona mərhum akademik Azad Mirzəcanzadənin şəxsi təqdimatı ilə Patent verilmişdır (“Yarımkeçirici diod”, Azərbaycan Milli Patent Ekspertiza Mərkəzi, 1999, Patent nömrəsi 2001- 0133), sonra isə davamı olaraq daha beş ixtira edilmişdir.
O zaman, əlavə elekrik sahəsini bilavasitə ölçmək üçün cihaz mövcud olmadığından, bu fiziki hadisənin doğruluğu elektrofiziki və termoelektrik eksperimental metodlarla təsdiq edilmişdir. Əlavə elekrik sahəli metal-yarımkeçirici kontaktların işlək energetik modelləri və cərəyan axma mexanizmləri işlənib hazırlanmışdır. Real metal-yarımkeçirici kontaktların elektrofiziki və konstruktiv parametrlərinin effektiv qiymətlərinin təyini üsulları ixtira edilmişdir. (“Şottki diodlarının perferiya cərəyanlarının və effektiv kontakt sahələrinin ölçülməsi üsulları”, Azərbaycan Milli Patent Ekspertiza Mərkəzi, 2000, Patent nömrəsi 2000 - 0052 və Patent nömrəsi 2000 - 0112). Əlavə elekrik sahəli metal-yarımkeçirici kontaktlar əsasında mövcud yarımkeçirici cihazların təkmilləşdirilməsinin və yeni sinif yarımkeçirici cihazların yaradılmasının fiziki əsasları müəyyən edilmişdir. Bu və digər mühüm orijinal elmi məlumatlar əsasında, dünya ədəbiyyatında ilk və yeganə olan “R.Q.Məmmədov, Əlavə elektrik sahəli metal-yarımkeçirici kontaktlar, Bakı, BDU, 2003, 231 s.” adlı rus dilində monoqrafiya yazılmış və o, sərbəst istifadə üçün internetdə yerləşdirilmişdir. Yarımkeçiricilər fizikası və elektronikası sahəsində “Əlavə elektrik sahəli metal-yarımkeçirici kontakt fizikası” adlı yeni elmi istiqamət açılmışdır. 2004-cü ildə “Real metal - yarımkeçirici kontaktların elektrofiziki xassələri” mövzusunda fizika-riyaziyyat elmləri üzrə doktorluq dissertasiya işi müdafiə edilmişdir. Əsaslı qaydada müəyyən olunmuşdur ki, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda baş verən problem xarakterli əksər elektron hadisələri, o cümlədən, mövcud fundamental model və nəzəriyyələrdən kəskin kənaraçıxmalar, əlavə elektrik sahəsinin təsirinin nəzərə alınması ilə aydın interpretasiya olunur. Bununla yanaşı, o da aşkar edilmişdir ki, əlavə elektrik sahəli metal - yarımkeçirici kontaktlar bir sıra perspektivli yeni xassələrə malikdir.
Azərbaycanda kəşf edilmiş yeni fiziki hadisə xarici ölkə alimlərinin də diqqətini cəlb etmişdir. Rusiya Federasiyasının Tomsk Dövlət Universitetinin Yarımkeçiricilər fizikası kafedrasında real metal-yarımkeçirici kontaktlarda yaranan əlavə elektrik sahəsi, nanotexnologiyanın müasir cihazı olan Atom Qüvvə Mikroskopu ilə bilavasitə ölçülmüş və onun kontakt səthi boyunca paylanmasının fenomenoloji modeli qurulmuşdur. Yuxarıda qeyd olunan monoqrafiya əsasında “Atom Qüvvə Mikroskopiya metodu ilə yarımkeçirici (A3B5) səthinin morfologiyasının, elektron xassələrinin və metal - A3B5 kontaktların tədqiqi” (Tomsk, 2010) adlı fizika üzrə fəlsəfə doktorluq dissertasiya işi yazılaraq, müdafiə olunmuşdur. Diqqətəlayiq haldır ki, 2009-2011-ci illərdə Tomsk Dövlət Universitetində və Rusiya Federasiyası Yarımkeçirici Cihazlar Elmi Tədqiqat İnstitutunda, müasir texnologiya və ölçü texnikaları ilə əlavə elektrik sahəsinin fundamental tədqiqi aparılmış və alınan yeni elmi nəticələr silsilə məqalələrlə Rusiya Elmlər Akademiyasının “Yarımkeçiricilərin Fizikası və Texnikası”, “Səth: Rentgen, Sinxroton və Nüvə Tədqiqatları” və s. kimi nüfuzlu elmi jurnallarında rus və ingilis dillərində dərc olunmuşdur. Çoxsaylı məruzələr isə “İYT texnikası və telekommunikasiya texnologiyaları, Sevostopol - 2009, 2010, 2011”, “Yarimkeçiricilər, Tomsk-2009”, “Radiofizikanın aktual problemləri, Tomsk-2010” və s. kimi Beynəlxalq Konfranslarda dinlənilmişdir.
Aktuallığına xüsusi diqqət yetirdiyimiz metal-yarımkeçirici kontakt hadisələri, elmi-texniki tərəqqinin tarixi inkişafının bütün mərhələlərində mühüm rol oynamış və müstəsna əhəmiyyət kəsb etmişdir. Hələ 1874-cü ildə, alman alimi Ferdinand Braun real metal-yarımkeçirici kontaktlarda diod effekti (cərəyanı düz istiqamətdə yaxşı və əks istiqamətdə pis keçirmək) kəşf etmişdir. Bu hadisənin fizikası nəzəri olaraq keçən əsrin 40-cı illərinə qədər məlum olmamışdır. Buna baxmayaraq, XX əsrin əvvəllərində diod xassəli metal-yarımkeçirici kontaktlar əsasında çoxsaylı detektorlar ixtira edilmişdir ki, bu da radioelektronikanın bütövlükdə inkişafına güclü təkan vermişdir və kəşfin müəllifi F.Braun 1909-cu ildə Nobel mükafatına layiq görülmüşdür. II Dünya müharibəsi illərində kiçik həcmli radiocihazlara ciddi ehtiyac duyulduğundan, metal-yarımkeçirici kontakt hadisələri beynəlxalq miqyasda ən aktual problem kimi intensiv tədqiq olunmuşdur. Alman alimi Volter Şottki ideal metal-yarımkeçirici kontaktların fundamental energetik modellərini və Hans Bete isə cərəyan axınının termoelektron emissiya nəzəriyyəsini işləyib hazırlamışdır.
Mükəmməl nəzəriyyəsi məlum olduqdan sonra metal-yarımkeçirici kontaktların elektron proseslərinin tədqiqində və onların praktiki tətbiqində böyük nailiyyətlər əldə edilmişdir. 1949-cu ildə Amerika alimləri V.Şottki, C.Bardin və U.Bratteyn tərəfindən metal-yarımkeçirici kontaktlarda tranzistor effekti (cərəyan və gərinliyin gücləndirilməsi) kəşf edilmiş və nəticədə elmi-texniki inqilab baş vermişdir. Dünyada irihəcimli (təxminən kibrit qutusu ölçüsündə) lampalar əsasında hazırlanan bütün elektron qurğuları mənəvi aşınmaya məruz qalaraq, kütləvi halda istismardan çıxarılmışdır və onlar böyük üstünlüklərə malik, kiçikhəcimli (təxminən düymə ölçüdə) tranzistorlu daha müasir qurğularla əvəz edilmişdir. Bu kəşfin müəllifləri 1956-cı ildə Nobel mükafatına layiq görülmüşdülər. Elmi ədəbiyyatda tranzistor effektinin kəşfi dünyada mövcud olan bütün digər kəşflərlə müqayisədə insanlığa ən çox fayda verən kəşf hesab edilir. Bununla belə, böyük uğurlarla yanaşı, o da tam yəqin edilmişdir ki, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda mövcud fundamental model və nəzəriyyələrdən ciddi kənaraçıxmalar müşahidə olunur. Buna əsas səbəb kimi, o dövrdə metal-yarımkeçirici kontaktların hazırlanma texnologiyasının mükəmməl olmaması güman edilmişdir.
Elektron cihazları texnologiyasının təkmilləşməsi sayəsində 1959-cu ildə Amerika mütəxəssisləri C.Kilbi və R.Noys tərəfindən, təxminən bir düymə ölçüdə yarımkeçirici kristal üzərində yerləşən, çox sayda diod və tranzistordan ibarət elektrik sxemi, yəni, mikrosxem və ya inteqral sxemi, ixtira edilmiş və mikroelektronikanın yaranmasında ilk mühüm addım atılmışdır. Fizika, kimya, texnika, texnologiya kimi bir sıra elmlərin qovşağında formalaşan mikroelektronikanın sonrakı inkişafı ilə əlaqədar olaraq, daha mükəmməl litoqrafiya texnologiyası yaradılmışdır. Minlərlə metal-yarımkeçirici kontakt komponentlərindən təşkil olunan mikrosxemlərin istismarı geniş vüsət almış və növbəti elmi-texniki inqilab baş vermişdir. Dünyada diskret yarımkeçirici cihazlar əsasında hazırlanmış bütün elektron qurğuları mənəva aşınmaya məruz qalaraq, kütləvi halda istismardan çıxarılmış və onlar böyük üstünlüklərə malik inteqral sxemlərlə əvəz edilmişdir. Elmi-texniki inqilablar nəticəsində əldə olunan mühüm nailiyyətlərdən biri də odur ki, elektron elementlərinin maya dəyəri fantastik dərəcədə azalmışdır. Alman ədəbiyyatının 1990-cı il məlumatına görə bir ədəd lampanın və tranzistorun maya dəyərləri, uyğun olaraq, 10 (on) marka və 1 (bir) marka olduğu halda, minlərlə tranzistor kimi komponentlərdən ibarət olan bir ədəd inteqral sxemin maya dəyəri cəmi 0,0001 (on mində bir) marka olmuşdur.
Müasir litoqrafiya texnologiyası ilə hazırlanan mükəmməl metal-yarımkeçirici kontakt hadisələri, nəzəri olaraq güman edilən bir sıra real faktorların təsiri nəzərə alınmaqla, beynəlxalq miqyasda geniş və intensiv tədqiq edilmişdir. Statistik məlumatlara görə, 1970-1980-ci illərdə, dünyada yarımkeçiricilər sahəsində ən çox məqalə metal-yarımkeçirici kontakt hadisələrin tədqiqinə həsr edilmiş, çoxsaylı orijinal və abzor məqalələr, monoqrafiyalar, dərsliklər dərc edilmiş və Beynəlxalq Elmi-Texniki Konfranslarda elmi məruzələr dinlənilmişdir. Real metal-yarımkeçirici kontaktların praktiki tətbiqində ciddi uğurlar əldə edilmiş, o cümlədən, böyük (on minlərlə kontakt komponentlərindən ibarət) və ifrat böyük (yüz minlərlə kontakt komponentlərindən ibarət) inteqral sxemlərin istehsalı genişlənmişdir. Eyni zamanda, XX əsrin sonuna qədər praktiki mövcud olan bütün yarımkeçiricilərlə müxtəlif metalların mümkün olan kontaktlarında baş verən elektron prosesləri geniş tədqiq edilmiş və tam məlum olmuşdur ki, real metal-yarımkeçirici kontakt fizikasında bir sıra problemlər öz həllini hələ də tapmamışdır. Bununla yanaşı, real metal - yarımkeçirici kontaktların hərtərəfli tədqiqi nəticəsində formalaşmış aydın fiziki mənzərə fonunda, ölkəmizdə aparılan əhatəli nəzəri araşdırmalar və məqsədyönlü eksperimental tədqiqatlar nəticəsində, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elektrik sahəsinin yaranması kimi yeni fiziki hadisə kəşf edilmişdir.
Real metal-yarımkeçirici kontaktlarda əlavə elektrik sahəsinin yaranma hadisəsinin mühüm cəhətlərindən biri odur ki, bu hadisə onun aidiyyəti olduğu yarımkeçiricilər, yarımkeçirici cihazları, bərk cisimlər, nazik təbəqələr, səth fizikası, nanofizika kimi elm sahələrində, mikroelektronika, fiziki elektronika, optoelektronika, fotoelektronika, bioelektronika, nanoelektronika və digər elektron texnikası sahələrində yeni elmi istiqamətlərin açılmasının elmi əsasını təşkil edir.
Eyni zamanda, bu kəşf, müasir elektron texnikasının istisnasız olaraq bütün elektron qurğu və cihazlarının element bazalarını təşkil edən müxtəlif növ diskret yarımkeçirici cihazların, mikrosxemlərin, nanosxemlərin keyfiyyətinin yüksəldilməsinə və funksional imkanlarının genişləndirilməsinə, yeni sinif baza elementlərinin və inteqral sxemlərin hazırlanmasına imkanlar açır. Nüfuzlu xarici jurnallarda 2011-2012-ci illərdə dərc olunan elmi məlumatlara görə, artıq işıq enerjisini elektrik enerjisinə çevirən, əlavə elektrik sahəli yeni fotoelektrik çeviricilər (Alternativ enerji mənbəyi) yaradılmışdır ki, onlar işıq cərəyanını qaranlıq cərəyanına nisbətən 1000 (min) dəfə artırır (FTP,2011,v.45, №7, s.965). Halbuki, ənənəvi oxşar fotoelektrik çeviricilər (Alternativ enerji mənbəyi), işıq cərəyanını qaranlıq cərəyanına nisbətən cəmi təqribən 10 (on) dəfə artırır. Digər məlumatda isə bildirilir ki, əlavə elektrik sahəsinin təsiri nəticəsində metal-yarımkeçirici kontakt əsasında hazırlanmış fotoelektrik çeviricilərin həssaslığı gərginliyə görə 50 faiz və cərəyana görə isə 50 dəfə artır (“Microwave and Telecommunication Technology” 21th International Crimean Conference Publications, 2011, p.699). Böyük maraq kəsb edən məlumatlardan biri də odur ki, əlavə elektrik sahəli yeni Şottki diodları (İnformasiya və kommunikasiya texnologiyaları məhsullarının fəal komponentləri) hazırlanmışdır ki, onlar neqativ xarakterli əks cərəyana malik olmurlar (J.Microelectronics Reliability, 2012, v.52, № 2, p.418).
Xarici ölkə mütəxəssisləri tərəfindən xüsusi diqqət yetirilən, real metal-yarımkeçirici kontaktlarda aşkar etdiyimiz əlavə elektrik sahəsinin yaranma hadisəsi haqqında geniş elmi məlumat, 2012-ci ilin ilk günlərindən başlayaraq 30-dan artıq xarici internet saytlarında (məsələn, www.nanometer.ru/news_list.html, www.people.su/70512, www.nanonewsnet.ru, www.novostinauki.ru/news/42839/ və s.) əvvəllər elmə məlum olmayan, ümumbəşəri əhəmiyyətə malik mühüm elmi yenilik kimi yayılmışdır və yayılmaqda davam edir.
Ölkəmizin mülkiyyətçisi olduğu bu elmi kəşf, müasir elektron texnikasının əhatə etdiyi elm və təhsil sahələri üzrə yeni dərsliklər, dərs vəsaitləri, monoqrafiyalar yazılması və respublikamızda innovasiyayönümlü və investisiya tutumlu elektron texnikası məhsulları istehsalı üçün xüsusilə yararlıdır. Mübaliğəsiz demək olar ki, ümumbəşəri əhəmiyyətli yeni Azərbaycan elminin, intellektual mülkiyyətinin, insanlara verə biləcəyi fayda, yuxarıda qeyd edilən məlum tranzistor effekti kəşfinin verdiyi ümumbəşəri fayda ilə müqayisə olunandır.
Rasim MƏMMƏDOV
Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru, professor
 
  • Oxunub:  45210  |  
  • Tarix:  20-09-2012  |  
  •    Çap et   |  
Get Adobe Flash player
Azərbaycan beynəlxalq səviyyədə milli maraqlarını qətiyyətlə qoruyan güclü dövlət kimi tanınır

26 Aprel 16:47
Sona Əliyeva: Sadə xalq erməni siyasətçilərindən fərqli düşüncədədir
26 Aprel 16:32
Milli Məclisin deputatları İpək Yoluna Dəstək Qrupunun ikinci beynəlxalq konfransında iştirak edəcəklər
26 Aprel 16:27
Zərifə Əliyeva xeyirxah əməlləri ilə xalqımızın yaddaşlarında silinməz xatirələrlə yaşayır
26 Aprel 16:10
İngiltərəli turist: Formula 1 Azərbaycan Qran-Prisi digər yarışlardan möhtəşəmliyi ilə fərqlənir
26 Aprel 16:01
Zərifə xanım Əliyevanın adı oftalmologiya tarixinə qızıl hərflərlə yazılıb
26 Aprel 15:57
Elçin Quliyev: Azərbaycan nüfuzlu beynəlxalq tədbirlərin keçirildiyi məkandır
26 Aprel 15:41
Səhiyyə naziri Şəkidə vətəndaşları qəbul edib
26 Aprel 15:38
Formula 2: sıralanma turuna start verilib
26 Aprel 15:30
Milli Məclisin aqrar siyasət komitəsinin iclası keçirilib
26 Aprel 15:19
Türkiyənin CNN Türk kanalı Azərbaycan Prezidenti İlham Əliyevin Çinə səfəri haqqında reportaj yayımlayıb
26 Aprel 15:17
Paytaxtın inkişafı mərkəzdən kənarlara doğru irəliləyir
26 Aprel 15:15
Kənd təsərrüfatı naziri Zaqatalada vətəndaşları qəbul edib
26 Aprel 15:03
Rauf Əliyev: İşğalçı ölkə çox yaxşı başa düşür ki Azərbaycan hərbi cəhətdən dəfələrlə Ermənistanı üstələyir
26 Aprel 14:51
Azərbaycan-Türkiyə İstehsalat Birliyinın “Belarus” markalı traktor istehsalı zavodunun açılması ölkə iqtisadiyyatı üçün də çox əhəmiyyətli olacaq
26 Aprel 14:50
“Vüqar Həşimov” şahmat klubu təsis edilib
26 Aprel 14:46
İlahiyyat İnstitutunun dosenti beynəlxalq simpoziumda iştirak edib
26 Aprel 14:42
DİA-da “Azərbaycan Respublikasında dövlət-din münasibətləri” istiqaməti üzrə ixtisasartırma kursu təşkil edilib
26 Aprel 14:28
Nazir İnam Kərimov: Subsidiyaların ödənilməsi gələn ildən elektron kənd təsərrüfatı layihəsi vasitəsilə həyata keçiriləcək
26 Aprel 14:26
Bakıda Formula 1 pilotlarının ilk avtoqraf sessiyası təşkil olunub
26 Aprel 14:17
Akademik Zərifə Əliyevanın anadan olmasının 96 illiyinə həsr olunmuş “Oftalmologiyanın aktual məsələləri” adlı elmi konfrans keçiriləcək
26 Aprel 14:14
Azərbaycan Prezidenti İlham Əliyevin və Rusiya Prezidenti Vladimir Putinin Pekində görüşü olub
26 Aprel 14:10
Nazir müavini: Birinci vitse-prezident Mehriban Əliyeva idmana qayğı ilə yanaşması baxımından da çoxsaylı uğurların müəllifi kimi tanınır
26 Aprel 13:35
Pekində 2-ci “Bir kəmər, bir yol” Forumu işə başlayıb
26 Aprel 13:17
Elman Rüstəmov: Azərbaycanda dövriyyədə 213 milyon pul nişanı var
26 Aprel 13:11
Ərəstun Mehdiyev: Tarixi yenidən yazmaq cəhdlərini qəti şəkildə pisləməliyik
26 Aprel 13:04
DİA-da Ekologiya və Təbii Sərvətlər Nazirliyinin əməkdaşları üçün ixtisasartırma kursu təşkil edilib
26 Aprel 13:00
Cəbhəboyu zonada tikintisi davam etdirilən hərbi obyektlərdə inşaat işlərinin gedişi yoxlanılıb
26 Aprel 12:52
Yeni Azərbaycan Partiyası Sədərək rayon təşkilatında görülən işlər müzakirə olunub
26 Aprel 12:49
Bakıda “İnsan inkişafı. Dünyaya inteqrasiya” mövzusunda II beynəlxalq elmi konfrans keçirilir
26 Aprel 12:40
Azərbaycanda qadınların İKT bacarıqlarının inkişafı ilə bağlı təlimlər keçiriləcək
26 Aprel 12:24
Azərbaycan-NATO: əməkdaşlıq perspektivləri və geosiyasi reallıqlar
26 Aprel 12:16
Mərkəzi Bank uçot dərəcəsini aşağı salıb
26 Aprel 12:13
Zərifə xanım Əliyeva yorulmaz fəaliyyəti ilə insanlara nur bəxş edib
26 Aprel 12:07
"Anti-Azərbaycan qüvvələr ölkəmizin nüfuzuna xələl gətirə bilməz"
26 Aprel 11:55
“Dinlərarası dialoq və radikalizmlə mübarizə” mövzusunda konfrans panel iclaslarla davam edib
26 Aprel 11:38
Gömrük Komitəsinin sədri Ümumdünya Gömrük Təşkilatının baş katibi ilə görüşüb
26 Aprel 11:31
Görkəmli oftalmoloq-alim Zərifə Əliyevanın xatirəsi Naxçıvanın Bakıdakı daimi nümayəndəliyində anılıb
26 Aprel 11:26
Çinin nüfuzlu "Global Times" qəzeti AZƏRTAC-ın xəbərlərini yaymağa başlayıb
26 Aprel 11:19
Naxçıvan Dövlət Universitetində startap layihələrin hazırlanması və tətbiqi məsələləri müzakirə edilib
26 Aprel 11:13
Bakıda Formula 2 yarışı üzrə birinci sərbəst yürüşlərə start verilib
26 Aprel 10:35
Bakıda Beynəlxalq Əqli Mülkiyyət Gününə həsr olunan "Əqli mülkiyyət və idman" mövzusunda seminar keçirilir
26 Aprel 10:32
Nəsiminin yubileyi Budapeştdə qeyd olunub
26 Aprel 10:28
Zərifə xanım Əliyevanın keçdiyi şərəfli həyat yolu kamillik və müdriklik məktəbidir
26 Aprel 10:23
Heydər Əliyev Mərkəzinin parkında: DJ “S-BROTHER-S”, “Rast” qrupu və musiqili atəşfəşanlıq
26 Aprel 10:17
Azərbaycan ilə Çin arasında təhsil sahəsində əməkdaşlığın inkişaf perspektivləri müzakirə olunub
26 Aprel 10:16
Müdafiə Nazirliyi: Ermənistan silahlı qüvvələrinin bölmələri sutka ərzində atəşkəs rejimini 27 dəfə pozub
26 Aprel 10:14
Ermənilərin Belçikada soyqırımlarla bağlı qanuna düzəliş səyləri iflasa uğrayıb
26 Aprel 10:12
Müdafiə naziri ümumqoşun poliqonunda döyüş atışlı təlim məşqlərini izləyib
26 Aprel 10:11
Bu gün görkəmli yazıçı, böyük alim Mir Cəlal Paşayevin anadan olmasından 111 il keçir
26 Aprel 10:07
Bakıda Formula 1 Azərbaycan Qran Prisinin ilk yarış günü başlayır
26 Aprel 09:53
Azərbaycan beynəlxalq səviyyədə milli maraqlarını qətiyyətlə qoruyan güclü dövlət kimi tanınır
26 Aprel 09:50
Rumıniya müsəlmanlarının dini rəhbəri Azərbaycandakı dövlət-din münasibətləri barədə məlumatlandırılıb
26 Aprel 09:48
YAP Yasamal rayon təşkilatı Gənclər Birliyinin V hesabat-seçki konfransı keçirilib
26 Aprel 09:44
“Azərbaycan cəmiyyəti və informasiya resursları belə məsələlərdə diqqətli olmalıdır”
26 Aprel 09:43
YAP Nərimanov rayon təşkilatı Gənclər Birliyinin V hesabat-seçki konfransı keçirilib
26 Aprel 09:40
YAP Laçın rayon təşkilatı akademik Zərifə xanım Əliyevanın anadan olmasının ildönümünü qeyd edib
26 Aprel 09:38
Beynəlxalq Avrasiya Mətbuat Fondu qondarma “Dağlıq Qarabağ respublikası”nın hesabatının BMT-nin rəsmi səhifəsində dərc olunmasına etiraz edib
26 Aprel 09:36
Hacı Zeynalabdin Tağıyevin heykəlinin hazırlanması ilə bağlı açıq heykəltəraşlıq müsabiqəsi elan olunub
26 Aprel 09:33
Bakcell Formula 1 SOCAR Azərbaycan Qran Prisi 2019 yarışına hazırdır
26 Aprel 09:32
“Nar” “ADA Innovation Awards 2019” mükafatına dəstək verir
26 Aprel 09:30
Azərbaycanın bölgələrində yazlıq bitkilərin əkini uğurla davam edir
25 Aprel 21:26
Azərbaycanın cinayətkarlıqla mübarizə sahəsində həyata keçirdiyi tədbirlər ABŞ tərəfindən müsbət qiymətləndirilir
25 Aprel 21:23
“ASAN xidmət”də beynəlxalq tərəfdaşlarla görüş keçirilib
25 Aprel 21:14
Elçin Əhmədov: ermənilərin Azərbaycana və Türkiyəyə qarşı əsassız iddiaları beynəlxalq hüququn prinsiplərinə ziddir
25 Aprel 20:30
Birinci vitse-prezident Mehriban Əliyeva Buzovnadakı 229 saylı uşaq bağçasında, Mərdəkandakı gimnaziyada və 32 saylı Laçın rayon məktəbində mövcud şəraitlə tanış olub
25 Aprel 20:24
Təhsil Nazirliyində “Cisco” şirkəti ilə əməkdaşlıq məsələləri müzakirə olunub
25 Aprel 20:16
Mahsa Mehdizadə: XX əsrin əvvəllərində erməni quldurları Arazın cənubunda 150 mindən çox müsəlman-türkü qətlə yetirib
25 Aprel 20:06
Akademik Zərifə Əliyevanın anadan olmasının 96-cı ildönümünü Suraxanıda təntənəli şəkildə qeyd edilib
25 Aprel 20:00
Çingiz Hüseynzadə: Yay aylarında bütün idman növləri üzrə kurslar təşkil etməyi planlaşdırırıq
25 Aprel 19:46
Ədliyyə Nazirliyində CISCO şirkətinin nümayəndə heyəti ilə görüş olub

Video

 

Müsahibə

 

Müəlliflər


»»»
ARXİV
B Be Ça Ç Ca C Ş
1 2 3 4 5 6
7 8 9 10 11 12 13
14 15 16 17 18 19 20
21 22 23 24 25 26 27
28 29 30
HAVA HAQQINDA
Bakı
gündüz+16 +21
gecə+9 +12